Маневрлік резисторды таңдау

A шунт резисторыбелгілі бір тізбекке параллель өткізгіштің кедергісі. Толық ток өзгермеген жағдайда, белгілі бір тізбекте параллель қосылған шунт маневр рөлін атқарады және токтың бір бөлігі шунтта өтеді, осылайша тізбек бөлігінен өтетін ток азаяды. Маневрлік резистордың кедергісі неғұрлым аз болса, соғұрлым шунт әсері айқынырақ болады.

Арнайы функциясына байланысты маневрлік резисторлар аспаптар, есептегіштер және өлшеу жабдықтары сияқты дәл электронды өнімдерде қолданылуы керек. Қарсылық дәлдігін таңдауға ерекше назар аудару керек. Егер дәлдік жеткіліксіз болса, шунттың ағымдағы өлшемі күтілетін мәннен тым өзгеше болуы мүмкін. Бұл тікелей өлшеу нәтижесінің үлкен қателігіне әкеледі және өлшеудің мағынасын жоғалтады. Басқа дәл электронды өнімдер сияқты, олардың жоғары талаптары болғандықтан, жоғары дәлдіктегі резисторларды таңдаған дұрыс.

Мысал ретінде 4,7 Kohm (кило Ом) кедергісін алайық. Нарықтағы ең көп таралған қарсылық 5% дәлдік кедергісі болып табылады, оны жалпы мақсаттар үшін қанағаттандыруға болады, бірақ дәл электронды өнімдер үшін, шунттауға төзімділік, сынамаға төзімділік, бұл функциялар Өнім жеткілікті емес. Сіз жоғары дәлдіктегі Jiebishen чип резисторын таңдауыңыз керек. Дәлдік 1%, 0,1% дәлдік, 0,5%, 0,25%, 0,05% қарсылық, 0,01% дәлдік кедергісі талаптарына сәйкес таңдалуы мүмкін.

Сонымен қатар, температура коэффициенті, температураның ауытқуы TCR, сонымен қатар кедергінің өзгеруіне және шунттаушы токқа әсер ететін маңызды параметр болып табылады. Егер Kohm кедергісінің температуралық ауытқуы бірнеше жүз PPM болса, ол дәлдік сияқты жоғары талаптарды қанағаттандыра алмайды. Өнім талаптарына сәйкес 5PPM, 10PPM таңдаңыз. 15PPM, 25PPM, 50PPM (TCR температурасының ауытқуы туралы білу үшін Цзе Биксин қарсылық желісін қараңыз) және т.б.

Егер қарсылықшунт резисторы1 Ом-нан аз, яғни миллиом деңгейінде болса, онда сіз төмен кедергісі бар іріктеу деңгейіндегі резисторды, Jiebishen дискретизациялық резисторды таңдай аласыз. Қарсылық диапазоны 0,0005 Ом, 0,5 миллиом, 1000 миллиом, 1 Ом.